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FD6M033N06

FD6M033N06

Solo per riferimento

Numero parte FD6M033N06
PNEDA Part # FD6M033N06
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.804
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FD6M033N06 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFD6M033N06
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FD6M033N06, FD6M033N06 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 776,17 KB)
PDFFD6M033N06 Datasheet Copertura
FD6M033N06 Datasheet Pagina 2 FD6M033N06 Datasheet Pagina 3 FD6M033N06 Datasheet Pagina 4 FD6M033N06 Datasheet Pagina 5 FD6M033N06 Datasheet Pagina 6 FD6M033N06 Datasheet Pagina 7 FD6M033N06 Datasheet Pagina 8 FD6M033N06 Datasheet Pagina 9

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FD6M033N06 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePower-SPM™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C73A
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs129nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6010pF @ 25V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaEPM15
Pacchetto dispositivo fornitoreEPM15

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Produttore

Vishay Siliconix

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

888pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1947pF @ 25V

Potenza - Max

64W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

850mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1A, 10V, 940mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V, 1.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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