FCH077N65F-F085
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Numero parte | FCH077N65F-F085 |
PNEDA Part # | FCH077N65F-F085 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 54A TO247 |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.658 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FCH077N65F-F085 Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FCH077N65F-F085 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
FCH077N65F-F085, FCH077N65F-F085 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 417,65 KB)
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FCH077N65F-F085 Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 54A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 27A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 164nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7162pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 481W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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