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FC8J33040L

FC8J33040L

Solo per riferimento

Numero parte FC8J33040L
PNEDA Part # FC8J33040L
Descrizione MOSFET 2N-CH 33V 5A WMINI8-F1
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FC8J33040L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFC8J33040L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FC8J33040L, FC8J33040L Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 317,38 KB)
PDFFC8J33040L Datasheet Copertura
FC8J33040L Datasheet Pagina 2 FC8J33040L Datasheet Pagina 3 FC8J33040L Datasheet Pagina 4 FC8J33040L Datasheet Pagina 5 FC8J33040L Datasheet Pagina 6 FC8J33040L Datasheet Pagina 7

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FC8J33040L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)33V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 10V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreWMini8-F1

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

398pF @ 50V

Potenza - Max

1.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-MICRO FOOT®CSP

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2130pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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