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FAM65CR51DZ2

FAM65CR51DZ2

Solo per riferimento

Numero parte FAM65CR51DZ2
PNEDA Part # FAM65CR51DZ2
Descrizione IC PIM BOOST CONVERTER 12LD
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.542
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FAM65CR51DZ2 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFAM65CR51DZ2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
FAM65CR51DZ2, FAM65CR51DZ2 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 664,67 KB)
PDFFAM65CR51DZ2 Datasheet Copertura
FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 2 FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 3 FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 4 FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 5 FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 6 FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 7 FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 8 FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 9 FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 10 FAM65CR51DZ2 Datasheet Pagina 11

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FAM65CR51DZ2 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Potenza - Max

230W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 35A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.5nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

180A

Potenza - Max

760W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

7.5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Y3-DCB

Pacchetto dispositivo fornitore

Y3-DCB

VS-GT80DA120U

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

139A

Potenza - Max

658W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 80A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

FA300R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Potenza - Max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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