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F4100R17ME4B11BPSA1

F4100R17ME4B11BPSA1

Solo per riferimento

Numero parte F4100R17ME4B11BPSA1
PNEDA Part # F4100R17ME4B11BPSA1
Descrizione MOD IGBT MED POWER ECONO-6
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

F4100R17ME4B11BPSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteF4100R17ME4B11BPSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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F4100R17ME4B11BPSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieEconoDUAL™ 3
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)155A
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 100A
Corrente - Taglio collettore (Max)3mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce9nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Potenza - Max

180W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 15A

Corrente - Taglio collettore (Max)

900µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

VS-GA300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

530A

Potenza - Max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

750µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

Pacchetto dispositivo fornitore

Dual INT-A-PAK

FZ1800R17HP4B29BOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FS150R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT50H60T2G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Potenza - Max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP2

Pacchetto dispositivo fornitore

SP2

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