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F3L400R12PT4PB26BOSA1

F3L400R12PT4PB26BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte F3L400R12PT4PB26BOSA1
PNEDA Part # F3L400R12PT4PB26BOSA1
Descrizione MOD IGBT MED POWER ECONO4-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.816
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

F3L400R12PT4PB26BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteF3L400R12PT4PB26BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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F3L400R12PT4PB26BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)800A
Potenza - Max20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 400A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce25nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

40W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF75DA60D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

APT45GP120J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

329W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.94nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

FP7G75US60

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Power-SPM™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

310W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.515nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

EPM7

Pacchetto dispositivo fornitore

EPM7

CM1000HA-24H

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1000A

Potenza - Max

5800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

6mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

200nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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