ES3G-M3/57T
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| Numero parte | ES3G-M3/57T |
| PNEDA Part # | ES3G-M3-57T |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.672 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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ES3G-M3/57T Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ES3G-M3/57T |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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ES3G-M3/57T Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 850mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 15A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F 175pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (TO-3P) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP® Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 2.1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 1.2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F 37pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 700V Corrente - Media Rettificata (Io) 88A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 50A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 700V Capacità @ Vr, F 2034pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore D3Pak Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
