ES2JAHR3G
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| Numero parte | ES2JAHR3G |
| PNEDA Part # | ES2JAHR3G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.212 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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ES2JAHR3G Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ES2JAHR3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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ES2JAHR3G Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 200nA @ 200V Capacità @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
