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ES2AHE3_A/I

ES2AHE3_A/I

Solo per riferimento

Numero parte ES2AHE3_A/I
PNEDA Part # ES2AHE3_A-I
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.298
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ES2AHE3_A/I Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteES2AHE3_A/I
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
ES2AHE3_A/I, ES2AHE3_A/I Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 84,05 KB)
PDFES2DHE3J/52T Datasheet Copertura
ES2DHE3J/52T Datasheet Pagina 2 ES2DHE3J/52T Datasheet Pagina 3 ES2DHE3J/52T Datasheet Pagina 4 ES2DHE3J/52T Datasheet Pagina 5

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ES2AHE3_A/I Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)50V
Corrente - Media Rettificata (Io)2A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If900mV @ 2A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F18pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

3400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

850A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 850A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 3400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AB, B-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 160°C

SMLJ60S6-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 6A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N6640US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

75V

Corrente - Media Rettificata (Io)

300mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, D

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5D

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

VS-VSKE71/14

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

80A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 1400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

MBRM120ET1H

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

595mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Powermite

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