EPC2102ENGRT
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| Numero parte | EPC2102ENGRT |
| PNEDA Part # | EPC2102ENGRT |
| Descrizione | GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 53.898 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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EPC2102ENGRT Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2102ENGRT |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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EPC2102ENGRT Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 30V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT363-6 |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 869pF @ 30V Potenza - Max 1.9W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore V-DFN3030-8 |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4507pF @ 25V Potenza - Max 277W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 49A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V Potenza - Max 250W Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
