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EPC2023

EPC2023

Solo per riferimento

Numero parte EPC2023
PNEDA Part # EPC2023
Descrizione GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
Produttore EPC
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 52.068
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EPC2023 Risorse

Brand EPC
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEPC2023
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
EPC2023, EPC2023 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 1.437,55 KB)
PDFEPC2023 Datasheet Copertura
EPC2023 Datasheet Pagina 2 EPC2023 Datasheet Pagina 3 EPC2023 Datasheet Pagina 4 EPC2023 Datasheet Pagina 5 EPC2023 Datasheet Pagina 6

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EPC2023 Specifiche

ProduttoreEPC
SerieeGaN®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2300pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDie
Pacchetto / CustodiaDie

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Sawn on foil

Pacchetto / Custodia

Die

BSS192PH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

190mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 190mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 130µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

104pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT89

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

NVMFS5C677NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 36A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 37W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

ZXMP6A17E6QTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

637pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

IGT60R190D1SATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolGaN™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 960µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

157pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

55.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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