EPC2016C
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| Numero parte | EPC2016C |
| PNEDA Part # | EPC2016C |
| Descrizione | GANFET TRANS 100V 18A BUMPED DIE |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.281.512 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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EPC2016C Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2016C |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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EPC2016C Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | +6V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / Custodia | Die |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 59A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1210pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-262 Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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