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EMX1DXV6T5G

EMX1DXV6T5G

Solo per riferimento

Numero parte EMX1DXV6T5G
PNEDA Part # EMX1DXV6T5G
Descrizione TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 7.056
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EMX1DXV6T5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEMX1DXV6T5G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
EMX1DXV6T5G, EMX1DXV6T5G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 59,47 KB)
PDFEMX1DXV6T1 Datasheet Copertura
EMX1DXV6T1 Datasheet Pagina 2 EMX1DXV6T1 Datasheet Pagina 3 EMX1DXV6T1 Datasheet Pagina 4

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EMX1DXV6T5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Potenza - Max500mW
Frequenza - Transizione180MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

PBSS4112PANP,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

120mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

510mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-HUSON-EP (2x2)

JAN2N6989

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/559

Tipo di transistor

4 NPN (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-116

US6X8TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 25mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

320MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

TUMT6

DMG204010R

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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