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EMT1DXV6T5

EMT1DXV6T5

Solo per riferimento

Numero parte EMT1DXV6T5
PNEDA Part # EMT1DXV6T5
Descrizione TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.892
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EMT1DXV6T5 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEMT1DXV6T5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
EMT1DXV6T5, EMT1DXV6T5 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 54,48 KB)
PDFEMT1DXV6T5 Datasheet Copertura
EMT1DXV6T5 Datasheet Pagina 2 EMT1DXV6T5 Datasheet Pagina 3 EMT1DXV6T5 Datasheet Pagina 4

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EMT1DXV6T5 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Potenza - Max500mW
Frequenza - Transizione140MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

4 PNP (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-116

HN1C01FE-GR,LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

100mW

Frequenza - Transizione

80MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

SBC846BDW1T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

380mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A, 1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

2.5W

Frequenza - Transizione

140MHz, 180MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-223-8

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

480mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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