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EMD12FHAT2R

EMD12FHAT2R

Solo per riferimento

Numero parte EMD12FHAT2R
PNEDA Part # EMD12FHAT2R
Descrizione PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.076
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EMD12FHAT2R Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEMD12FHAT2R
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
EMD12FHAT2R, EMD12FHAT2R Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.250,55 KB)
PDFEMD12FHAT2R Datasheet Copertura
EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 2 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 3 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 4 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 5 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 6 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 7 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 8 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 9

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  • EMD12FHAT2R Distributor

EMD12FHAT2R Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Resistenza - Base (R1)47kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max150mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreEMT6

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PBLS6023D,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA, 1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 60V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA, 100nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

760mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

RN1911(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

PIMC31F

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

420mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

EMB10T2R

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

NSVBA143ZDXV6T1G

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Resistenza - Base (R1)

-

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

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Pacchetto / Custodia

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