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EMD12FHAT2R

EMD12FHAT2R

Solo per riferimento

Numero parte EMD12FHAT2R
PNEDA Part # EMD12FHAT2R
Descrizione PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.076
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EMD12FHAT2R Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEMD12FHAT2R
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
EMD12FHAT2R, EMD12FHAT2R Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.250,55 KB)
PDFEMD12FHAT2R Datasheet Copertura
EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 2 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 3 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 4 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 5 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 6 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 7 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 8 EMD12FHAT2R Datasheet Pagina 9

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EMD12FHAT2R Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Resistenza - Base (R1)47kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max150mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreEMT6

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Rohm Semiconductor

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Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT5

BCR22PNH6327XTSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

130MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

EMT6

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Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

100kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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