EM6K7T2CR
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| Numero parte | EM6K7T2CR |
| PNEDA Part # | EM6K7T2CR |
| Descrizione | 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 92.124 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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EM6K7T2CR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EM6K7T2CR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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EM6K7T2CR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Potenza - Max | 150mW |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.25W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
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