EGP50C-E3/73
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| Numero parte | EGP50C-E3/73 |
| PNEDA Part # | EGP50C-E3-73 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 150V 5A GP20 |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.448 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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EGP50C-E3/73 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EGP50C-E3/73 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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EGP50C-E3/73 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 150V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
| Capacità @ Vr, F | 95pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | GP20 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 2.5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 237pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-257-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-257 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 250°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 395mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 30V Capacità @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 780pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AA, SMB Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AA (SMB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
