EG 1AV
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| Numero parte | EG 1AV |
| PNEDA Part # | EG-1AV |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 600MA AXIAL |
| Produttore | Sanken |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.246 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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EG 1AV Risorse
| Brand | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EG 1AV |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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EG 1AV Specifiche
| Produttore | Sanken |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 600mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2V @ 600mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 165ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Pacchetto dispositivo fornitore DOP3I Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
