EFC6612R-A-TF
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| Numero parte | EFC6612R-A-TF |
| PNEDA Part # | EFC6612R-A-TF |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.272 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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EFC6612R-A-TF Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EFC6612R-A-TF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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EFC6612R-A-TF Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 2.5W |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-SMD, No Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-CSP (1.77x3.54) |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.6W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-XBGA, 4-FCBGA Pacchetto dispositivo fornitore EFCP1818-4CC-037 |
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