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EFC6602R-A-TR

EFC6602R-A-TR

Solo per riferimento

Numero parte EFC6602R-A-TR
PNEDA Part # EFC6602R-A-TR
Descrizione MOSFET 2N-CH EFCP
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 2.232
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EFC6602R-A-TR Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEFC6602R-A-TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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EFC6602R-A-TR Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitoreEFCP2718-6CE-020

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 15V

Potenza - Max

1.15W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

BSC0923NDIATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A, 32A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TISON-8

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 30V

Potenza - Max

25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual

SI6981DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 300µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

NX3008NBKS,115

Nexperia

Produttore

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Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

350mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 15V

Potenza - Max

445mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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