EDF8164A3MC-GD-F-D
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| Numero parte | EDF8164A3MC-GD-F-D |
| PNEDA Part # | EDF8164A3MC-GD-F-D |
| Descrizione | IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.826 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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EDF8164A3MC-GD-F-D Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EDF8164A3MC-GD-F-D |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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EDF8164A3MC-GD-F-D Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Dimensione della memoria | 8Gb (128M x 64) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 800MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.14V ~ 1.95V |
| Temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 700ps Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 60-TFBGA (13x8) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria 32Gb (512M x 64) Interfaccia di memoria - Frequenza di clock 1866MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.1V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O, QPI Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 1ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 32Kb (2K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 90ns Tempo di accesso 90ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 68-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 68-PLCC (24.21x24.21) |
