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EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Solo per riferimento

Numero parte EDB4432BBBJ-1D-F-R
PNEDA Part # EDB4432BBBJ-1D-F-R
Descrizione IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.094
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EDB4432BBBJ-1D-F-R Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEDB4432BBBJ-1D-F-R
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
EDB4432BBBJ-1D-F-R, EDB4432BBBJ-1D-F-R Datasheet (Totale pagine: 137, Dimensioni: 12.382,97 KB)
PDFEDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Copertura
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 2 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 3 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 4 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 5 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 6 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 7 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 8 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 9 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 10 EDB4416BBBH-1DIT-F-R Datasheet Pagina 11

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EDB4432BBBJ-1D-F-R Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia134-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore134-FBGA (10x11.5)

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TFBGA (8x12.5)

MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

208MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14.4ns

Tempo di accesso

5.0ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

168-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

168-WFBGA (12x12)

DS28E07P+T

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (256 x 4)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2µs

Tensione - Alimentazione

3V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOC

MT29F32G08ABAAAWP-Z:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

32Gb (4G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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Produttore

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Formato memoria

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36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

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Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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