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EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR

Solo per riferimento

Numero parte EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
PNEDA Part # EDB1332BDBH-1DIT-F-R-TR
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
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Disponibile 6.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR, EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR Datasheet (Totale pagine: 145, Dimensioni: 1.817,13 KB)
PDFEDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Copertura
EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 2 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 3 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 4 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 5 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 6 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 7 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 8 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 9 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 10 EDB1332BDPC-1D-F-R TR Datasheet Pagina 11

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EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore134-VFBGA (10x11.5)

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOJ

IS42S32200L-6TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

IDT71V3556S133BQI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-CABGA (13x15)

S25FL129P0XNFI013M

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-P

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5µs, 3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x8)

IS42RM32800E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile

Dimensione della memoria

256Mb (8M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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