Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

ECH8601M-TL-H-P

ECH8601M-TL-H-P

Solo per riferimento

Numero parte ECH8601M-TL-H-P
PNEDA Part # ECH8601M-TL-H-P
Descrizione MOSFET 2N-CH
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.076
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ECH8601M-TL-H-P Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteECH8601M-TL-H-P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ECH8601M-TL-H-P, ECH8601M-TL-H-P Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 303,09 KB)
PDFECH8601M-TL-H-P Datasheet Copertura
ECH8601M-TL-H-P Datasheet Pagina 2 ECH8601M-TL-H-P Datasheet Pagina 3 ECH8601M-TL-H-P Datasheet Pagina 4 ECH8601M-TL-H-P Datasheet Pagina 5 ECH8601M-TL-H-P Datasheet Pagina 6 ECH8601M-TL-H-P Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • ECH8601M-TL-H-P Datasheet
  • where to find ECH8601M-TL-H-P
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor ECH8601M-TL-H-P
  • ECH8601M-TL-H-P PDF Datasheet
  • ECH8601M-TL-H-P Stock

  • ECH8601M-TL-H-P Pinout
  • Datasheet ECH8601M-TL-H-P
  • ECH8601M-TL-H-P Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • ECH8601M-TL-H-P Price
  • ECH8601M-TL-H-P Distributor

ECH8601M-TL-H-P Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore8-ECH

I prodotti a cui potresti essere interessato

MCH6601-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.43nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7.5pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MCPH

SI4202DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 15V

Potenza - Max

3.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DMNH4015SSDQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1938pF @ 15V

Potenza - Max

1.4W, 2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1366pF @ 16V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

AON7611

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A, 18.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 15V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (3x3)

Venduto di recente

S2G-13-F

S2G-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

AD780ARZ

AD780ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

JS28F128J3F75A

JS28F128J3F75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

1N5335BRLG

1N5335BRLG

ON Semiconductor

DIODE ZENER 3.9V 5W AXIAL

ASDXRRX005NDAA5

ASDXRRX005NDAA5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESSURE DIFF 5"" H2O 8DIP

SML-D12V8WT86

SML-D12V8WT86

Rohm Semiconductor

LED RED DIFFUSED 0603 SMD

FQD3P50TM

FQD3P50TM

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

LT1118CST-2.5#TRPBF

LT1118CST-2.5#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN 2.5V 800MA SOT223-3

BZT52C3V9-7-F

BZT52C3V9-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

LT3437IFE#PBF

LT3437IFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 500MA 16TSSOP

XC2C256-7VQG100I

XC2C256-7VQG100I

Xilinx

IC CPLD 256MC 6.7NS 100VQFP