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EC4401C-TL

EC4401C-TL

Solo per riferimento

Numero parte EC4401C-TL
PNEDA Part # EC4401C-TL
Descrizione MOSFET N-CH 30V 0.15A ECSP1008-4
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.094
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EC4401C-TL Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEC4401C-TL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
EC4401C-TL, EC4401C-TL Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 94,11 KB)
PDFEC4401C-TL Datasheet Copertura
EC4401C-TL Datasheet Pagina 2 EC4401C-TL Datasheet Pagina 3 EC4401C-TL Datasheet Pagina 4 EC4401C-TL Datasheet Pagina 5

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EC4401C-TL Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C150mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.58nC @ 10V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)150mW (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore4-ECSP1008
Pacchetto / Custodia4-UFDFN

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IRF6216TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1280pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

MCH3376-TL-W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

241mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

3-MCPH

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

SI4835DDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 5.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STD2N95K5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH5™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

950V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (massimo)

30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

105pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

937pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

39W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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