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EC3H02BA-TL-H

EC3H02BA-TL-H

Solo per riferimento

Numero parte EC3H02BA-TL-H
PNEDA Part # EC3H02BA-TL-H
Descrizione RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.590
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

EC3H02BA-TL-H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteEC3H02BA-TL-H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
EC3H02BA-TL-H, EC3H02BA-TL-H Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 283,66 KB)
PDFEC3H02BA-TL-H Datasheet Copertura
EC3H02BA-TL-H Datasheet Pagina 2 EC3H02BA-TL-H Datasheet Pagina 3 EC3H02BA-TL-H Datasheet Pagina 4 EC3H02BA-TL-H Datasheet Pagina 5

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EC3H02BA-TL-H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1dB @ 1GHz
Guadagno8.5dB
Potenza - Max100mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 20mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-XFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore3-ECSP1006

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MS1006

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

14dB

Potenza - Max

127W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

19 @ 1.4A, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.25A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

M135

Pacchetto dispositivo fornitore

M135

AT-42070

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

10.5dB ~ 14dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD (70 mil)

Pacchetto dispositivo fornitore

70 mil Package

2731-200P

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

2.7GHz ~ 3.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.7dB

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

ZUMT918TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Guadagno

15dB

Potenza - Max

330mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

2SC5415AF-TD-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6.7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

800mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PCP

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