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E-L6571BD

E-L6571BD

Solo per riferimento

Numero parte E-L6571BD
PNEDA Part # E-L6571BD
Descrizione IC DRVR HALF BRIDGE W/OSC 8-SOIC
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.924
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

E-L6571BD Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteE-L6571BD
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
E-L6571BD, E-L6571BD Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 226,87 KB)
PDFE-L6571BD Datasheet Copertura
E-L6571BD Datasheet Pagina 2 E-L6571BD Datasheet Pagina 3 E-L6571BD Datasheet Pagina 4 E-L6571BD Datasheet Pagina 5 E-L6571BD Datasheet Pagina 6 E-L6571BD Datasheet Pagina 7 E-L6571BD Datasheet Pagina 8 E-L6571BD Datasheet Pagina 9 E-L6571BD Datasheet Pagina 10 E-L6571BD Datasheet Pagina 11

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E-L6571BD Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 16.6V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)170mA, 270mA
Tipo di ingressoRC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

150ns, 50ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

UCC27425DGNR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP-PowerPad

1EDN8550BXTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EiceDriver™

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 8A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

84V

Tempo di salita / discesa (tipico)

6.5ns, 4.5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT23-6

MIC4428CM-TR

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 29ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ICL7667CBA+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 17V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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