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DTA123EEFRATL

DTA123EEFRATL

Solo per riferimento

Numero parte DTA123EEFRATL
PNEDA Part # DTA123EEFRATL
Descrizione PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 26.610
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DTA123EEFRATL Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDTA123EEFRATL
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
DTA123EEFRATL, DTA123EEFRATL Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 980,28 KB)
PDFDTA123EEFRATL Datasheet Copertura
DTA123EEFRATL Datasheet Pagina 2 DTA123EEFRATL Datasheet Pagina 3 DTA123EEFRATL Datasheet Pagina 4 DTA123EEFRATL Datasheet Pagina 5 DTA123EEFRATL Datasheet Pagina 6 DTA123EEFRATL Datasheet Pagina 7

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DTA123EEFRATL Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Resistenza - Base (R1)2.2 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)2.2 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 5V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Frequenza - Transizione250MHz
Potenza - Max150mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitoreEMT3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

130MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT323-3

MMUN2116LT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

246mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

PDTD143ETVL

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

225MHz

Potenza - Max

320mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

DTC023YUBTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-85

Pacchetto dispositivo fornitore

UMT3F

RN1301,LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

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Frequenza - Transizione

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