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DSEI2X31-06C

DSEI2X31-06C

Solo per riferimento

Numero parte DSEI2X31-06C
PNEDA Part # DSEI2X31-06C
Descrizione DIODE MODULE 600V 30A SOT227B
Produttore IXYS
Prezzo unitario
1 ---------- $192,0289
50 ---------- $183,0276
100 ---------- $174,0262
200 ---------- $165,0249
400 ---------- $157,5237
500 ---------- $150,0226
Disponibile 61
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DSEI2X31-06C Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDSEI2X31-06C
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
DSEI2X31-06C, DSEI2X31-06C Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 149,14 KB)
PDFDSEI2X31-04C Datasheet Copertura
DSEI2X31-04C Datasheet Pagina 2 DSEI2X31-04C Datasheet Pagina 3

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DSEI2X31-06C Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.6V @ 30A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227B

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Configurazione diodi

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Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

120A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 120A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

FST6310M

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

10V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 10V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D61-3M

Pacchetto dispositivo fornitore

D61-3M

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Configurazione diodi

-

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

65A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

104ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

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GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

840mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

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