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DS2704G+

DS2704G+

Solo per riferimento

Numero parte DS2704G+
PNEDA Part # DS2704G
Descrizione IC EEPROM 1.25K 1WIRE 6TDFN
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.282
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS2704G+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS2704G+
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS2704G+, DS2704G+ Datasheet (Totale pagine: 18, Dimensioni: 326,75 KB)
PDFDS2704G+T&R Datasheet Copertura
DS2704G+T&R Datasheet Pagina 2 DS2704G+T&R Datasheet Pagina 3 DS2704G+T&R Datasheet Pagina 4 DS2704G+T&R Datasheet Pagina 5 DS2704G+T&R Datasheet Pagina 6 DS2704G+T&R Datasheet Pagina 7 DS2704G+T&R Datasheet Pagina 8 DS2704G+T&R Datasheet Pagina 9 DS2704G+T&R Datasheet Pagina 10 DS2704G+T&R Datasheet Pagina 11

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DS2704G+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1.25Kb (32 Bytes x 5 pages)
Interfaccia di memoria1-Wire®
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso2µs
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-30°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-TDFN-EP (3x3)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP II

MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

TE28F256P30BFA

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

40MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

S25FL128LDPBHI030

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-L

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (6x8)

MT47H64M16B7-5E:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

600ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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