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DS2502X1+

DS2502X1+

Solo per riferimento

Numero parte DS2502X1+
PNEDA Part # DS2502X1_5B
Descrizione IC EPROM 1K 1WIRE 4WLP
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.770
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS2502X1+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS2502X1+
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS2502X1+, DS2502X1+ Datasheet (Totale pagine: 24, Dimensioni: 677,18 KB)
PDFDS2502X1+U Datasheet Copertura
DS2502X1+U Datasheet Pagina 2 DS2502X1+U Datasheet Pagina 3 DS2502X1+U Datasheet Pagina 4 DS2502X1+U Datasheet Pagina 5 DS2502X1+U Datasheet Pagina 6 DS2502X1+U Datasheet Pagina 7 DS2502X1+U Datasheet Pagina 8 DS2502X1+U Datasheet Pagina 9 DS2502X1+U Datasheet Pagina 10 DS2502X1+U Datasheet Pagina 11

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DS2502X1+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - OTP
Dimensione della memoria1Kb (128 x 8)
Interfaccia di memoria1-Wire®
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.8V ~ 6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-UFBGA, WLBGA
Pacchetto dispositivo fornitore4-WLP (1.62x0.93)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

12Gb (384M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

AT27C010L-70PC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PDIP

IS42S32160D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (16M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-TFBGA (8x13)

SM662PXC-ACS

Silicon Motion, Inc.

Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (MLC)

Dimensione della memoria

64GB

Interfaccia di memoria

eMMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

169-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT45V512KW16PEGA-70 WT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

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