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DS2430A+

DS2430A+

Solo per riferimento

Numero parte DS2430A+
PNEDA Part # DS2430A
Descrizione IC EEPROM 256 1WIRE TO92-3
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 116.790
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS2430A+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS2430A+
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS2430A+, DS2430A+ Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 860,61 KB)
PDFDS2430AP/T&R Datasheet Copertura
DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 2 DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 3 DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 4 DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 5 DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 6 DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 7 DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 8 DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 9 DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 10 DS2430AP/T&R Datasheet Pagina 11

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DS2430A+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria256b (32 x 8)
Interfaccia di memoria1-Wire®
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso15µs
Tensione - Alimentazione-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Etron Technology, Inc.

Produttore

Etron Technology, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-FBGA (8x13)

CY7C1565KV18-450BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

450MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

S34ML08G101TFB000

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

ML-1

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

8Gb (1G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP I

MT29F2G08ABAGAM79A3WC1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

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