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DS1258AB-70IND#

DS1258AB-70IND#

Solo per riferimento

Numero parte DS1258AB-70IND#
PNEDA Part # DS1258AB-70IND
Descrizione IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.796
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DS1258AB-70IND# Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS1258AB-70IND#
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS1258AB-70IND#, DS1258AB-70IND# Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 201,89 KB)
PDFDS1258Y-100# Datasheet Copertura
DS1258Y-100# Datasheet Pagina 2 DS1258Y-100# Datasheet Pagina 3 DS1258Y-100# Datasheet Pagina 4 DS1258Y-100# Datasheet Pagina 5 DS1258Y-100# Datasheet Pagina 6 DS1258Y-100# Datasheet Pagina 7 DS1258Y-100# Datasheet Pagina 8

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DS1258AB-70IND# Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria2Mb (128K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.75V ~ 5.25V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
Pacchetto dispositivo fornitore40-EDIP

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Produttore

Adesto Technologies

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (264 Bytes x 512 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

N25Q128A13BSFH0F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (32M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SO

25LC160A-E/MS

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

BR24G32FVJ-3AGTE2

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP-BJ

MT28F640J3FS-115 ET TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

115ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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