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DS1250AB-70+

DS1250AB-70+

Solo per riferimento

Numero parte DS1250AB-70+
PNEDA Part # DS1250AB-70
Descrizione IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario
1 ---------- $1.159,7777
50 ---------- $1.105,4131
100 ---------- $1.051,0485
200 ---------- $996,6839
400 ---------- $951,3801
500 ---------- $906,0763
Disponibile 88
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida)
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DS1250AB-70+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDS1250AB-70+
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
DS1250AB-70+, DS1250AB-70+ Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 236,32 KB)
PDFDS1250YP-100+ Datasheet Copertura
DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 2 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 3 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 4 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 5 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 6 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 7 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 8 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 9 DS1250YP-100+ Datasheet Pagina 10

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DS1250AB-70+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione4.75V ~ 5.25V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore32-EDIP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-TWBGA (9x13)

MR0A16AVYS35R

Everspin Technologies Inc.

Produttore

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

RAM

Tecnologia

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP2

IS43DR16128A-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-LFBGA (10.5x13.5)

S29GL512S12DHBV10

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (9x9)

S25FL116K0XMFIS11

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL1-K

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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