DS1245AB-100
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| Numero parte | DS1245AB-100 |
| PNEDA Part # | DS1245AB-100_5B |
| Descrizione | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP |
| Produttore | Maxim Integrated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 624 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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DS1245AB-100 Risorse
| Brand | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DS1245AB-100 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
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DS1245AB-100 Specifiche
| Produttore | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 100ns |
| Tempo di accesso | 100ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.75V ~ 5.25V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 32-EDIP |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie GL-P Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 56-TSOP |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MS-2 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP I |
Produttore ABLIC U.S.A. Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 8Kb (1K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 5MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 4ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.6V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TMSOP |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 10MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 10ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
