DS1230Y-100
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| Numero parte | DS1230Y-100 |
| PNEDA Part # | DS1230Y-100_5B |
| Descrizione | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP |
| Produttore | Maxim Integrated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 742 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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DS1230Y-100 Risorse
| Brand | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DS1230Y-100 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
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DS1230Y-100 Specifiche
| Produttore | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | NVSRAM |
| Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 100ns |
| Tempo di accesso | 100ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 28-EDIP |
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Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 32Kb (4K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 10MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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