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DRDN005W-7

DRDN005W-7

Solo per riferimento

Numero parte DRDN005W-7
PNEDA Part # DRDN005W-7
Descrizione TRANS NPN 80V 0.5A SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 165.234
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DRDN005W-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDRDN005W-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
DRDN005W-7, DRDN005W-7 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 348,93 KB)
PDFDRDNB26W-7 Datasheet Copertura
DRDNB26W-7 Datasheet Pagina 2 DRDNB26W-7 Datasheet Pagina 3 DRDNB26W-7 Datasheet Pagina 4 DRDNB26W-7 Datasheet Pagina 5 DRDNB26W-7 Datasheet Pagina 6 DRDNB26W-7 Datasheet Pagina 7 DRDNB26W-7 Datasheet Pagina 8 DRDNB26W-7 Datasheet Pagina 9

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DRDN005W-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorNPN + Diode (Isolated)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)80V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Potenza - Max200mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

330mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

ZXTP19100CGTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

295mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

142MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

2SC5201,F(J

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 20mA, 5V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 300mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

36W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-225AA

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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