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DNBT8105-7

DNBT8105-7

Solo per riferimento

Numero parte DNBT8105-7
PNEDA Part # DNBT8105-7
Descrizione TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.128.382
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DNBT8105-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDNBT8105-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
DNBT8105-7, DNBT8105-7 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 85,02 KB)
PDFDNBT8105-7 Datasheet Copertura
DNBT8105-7 Datasheet Pagina 2 DNBT8105-7 Datasheet Pagina 3 DNBT8105-7 Datasheet Pagina 4 DNBT8105-7 Datasheet Pagina 5

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DNBT8105-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic500mV @ 100mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 5V
Potenza - Max600mW
Frequenza - Transizione150MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

900mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 1.5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3.5V @ 80mA, 20A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

500 @ 10A, 3V

Potenza - Max

130W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

MJE18004D2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

450V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 400mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

6 @ 2A, 1V

Potenza - Max

75W

Frequenza - Transizione

13MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

750V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5 @ 8A, 5V

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