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DMT47M2SFVWQ-13

DMT47M2SFVWQ-13

Solo per riferimento

Numero parte DMT47M2SFVWQ-13
PNEDA Part # DMT47M2SFVWQ-13
Descrizione MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.464
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMT47M2SFVWQ-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMT47M2SFVWQ-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMT47M2SFVWQ-13, DMT47M2SFVWQ-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 474,68 KB)
PDFDMT47M2SFVWQ-7 Datasheet Copertura
DMT47M2SFVWQ-7 Datasheet Pagina 2 DMT47M2SFVWQ-7 Datasheet Pagina 3 DMT47M2SFVWQ-7 Datasheet Pagina 4 DMT47M2SFVWQ-7 Datasheet Pagina 5 DMT47M2SFVWQ-7 Datasheet Pagina 6 DMT47M2SFVWQ-7 Datasheet Pagina 7

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  • DMT47M2SFVWQ-13 Distributor

DMT47M2SFVWQ-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / Custodia-

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IXYS

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

70V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 120A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

420nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

600W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

SI4174DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

985pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

380nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

550W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7.1pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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