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DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Solo per riferimento

Numero parte DMT3020LFDF-7
PNEDA Part # DMT3020LFDF-7
Descrizione MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 46.782
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMT3020LFDF-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMT3020LFDF-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMT3020LFDF-7, DMT3020LFDF-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 407,81 KB)
PDFDMT3020LFDF-13 Datasheet Copertura
DMT3020LFDF-13 Datasheet Pagina 2 DMT3020LFDF-13 Datasheet Pagina 3 DMT3020LFDF-13 Datasheet Pagina 4 DMT3020LFDF-13 Datasheet Pagina 5 DMT3020LFDF-13 Datasheet Pagina 6 DMT3020LFDF-13 Datasheet Pagina 7

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DMT3020LFDF-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8.4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds393pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6 (Type B)
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

2N7002,215

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

830mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

45W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Vgs (th) (Max) @ Id

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Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

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Temperatura di esercizio

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