DMPH6250SQ-13
Solo per riferimento
| Numero parte | DMPH6250SQ-13 |
| PNEDA Part # | DMPH6250SQ-13 |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.718 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMPH6250SQ-13 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | DMPH6250SQ-13 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- DMPH6250SQ-13 Datasheet
- where to find DMPH6250SQ-13
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMPH6250SQ-13
- DMPH6250SQ-13 PDF Datasheet
- DMPH6250SQ-13 Stock
- DMPH6250SQ-13 Pinout
- Datasheet DMPH6250SQ-13
- DMPH6250SQ-13 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMPH6250SQ-13 Price
- DMPH6250SQ-13 Distributor
DMPH6250SQ-13 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 920mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1667pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 34W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2310pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Ta), 180A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4260pF @ 13V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric MX |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 168nC @ 10V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10918pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 263W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
