DMPH6050SFGQ-7
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| Numero parte | DMPH6050SFGQ-7 |
| PNEDA Part # | DMPH6050SFGQ-7 |
| Descrizione | MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8 |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 42.930 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 1 - lug 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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DMPH6050SFGQ-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | DMPH6050SFGQ-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
DMPH6050SFGQ-7, DMPH6050SFGQ-7 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 547,23 KB)
  
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DMPH6050SFGQ-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.1A (Ta), 18A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.1nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.293nF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
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