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DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN63D8LDWQ-7
PNEDA Part # DMN63D8LDWQ-7
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 28.116
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN63D8LDWQ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN63D8LDWQ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN63D8LDWQ-7, DMN63D8LDWQ-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 190,7 KB)
PDFDMN63D8LDWQ-7 Datasheet Copertura
DMN63D8LDWQ-7 Datasheet Pagina 2 DMN63D8LDWQ-7 Datasheet Pagina 3 DMN63D8LDWQ-7 Datasheet Pagina 4 DMN63D8LDWQ-7 Datasheet Pagina 5 DMN63D8LDWQ-7 Datasheet Pagina 6

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DMN63D8LDWQ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.87nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 25V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

133mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 15V

Potenza - Max

1.67W

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A, 3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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