Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN63D8LDW-7
PNEDA Part # DMN63D8LDW-7
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.680.914
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN63D8LDW-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN63D8LDW-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN63D8LDW-7, DMN63D8LDW-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 166,71 KB)
PDFDMN63D8LDW-13 Datasheet Copertura
DMN63D8LDW-13 Datasheet Pagina 2 DMN63D8LDW-13 Datasheet Pagina 3 DMN63D8LDW-13 Datasheet Pagina 4 DMN63D8LDW-13 Datasheet Pagina 5 DMN63D8LDW-13 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMN63D8LDW-7 Datasheet
  • where to find DMN63D8LDW-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN63D8LDW-7
  • DMN63D8LDW-7 PDF Datasheet
  • DMN63D8LDW-7 Stock

  • DMN63D8LDW-7 Pinout
  • Datasheet DMN63D8LDW-7
  • DMN63D8LDW-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN63D8LDW-7 Price
  • DMN63D8LDW-7 Distributor

DMN63D8LDW-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs870nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 25V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

I prodotti a cui potresti essere interessato

FW282-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 20V

Potenza - Max

2.2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

FDPC8012S

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 26A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1075pF @ 13V

Potenza - Max

800mW, 900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Powerclip-33

QH8KA1TCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

125pf @ 15V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT8

SIA915DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

87mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 15V

Potenza - Max

6.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SC-70-6 Dual

SP8M5TB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

Venduto di recente

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

954206AGLF

954206AGLF

IDT, Integrated Device Technology

IC TIMING CTRL HUB P4 56-TSSOP

LTM4605IV#PBF

LTM4605IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

VS-30BQ060TRPBF

VS-30BQ060TRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

0451015.MRL

0451015.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 15A 65VAC/VDC 2SMD

AD7768BSTZ

AD7768BSTZ

Analog Devices

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 64LQFP

T520V337M2R5ATE009

T520V337M2R5ATE009

KEMET

CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2917

MC74HC00ADR2G

MC74HC00ADR2G

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

DS5000-32-16+

DS5000-32-16+

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40EDIP

PIC16LF1705-I/P

PIC16LF1705-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 14DIP

MCP6566UT-E/OT

MCP6566UT-E/OT

Microchip Technology

IC COMPARATOR O-D 1.8V SOT23-5

TCN4337M016R0070

TCN4337M016R0070

CAP TANT POLY 330UF 20% 16V 2924