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DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN62D0UDW-7
PNEDA Part # DMN62D0UDW-7
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 150.498
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN62D0UDW-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN62D0UDW-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN62D0UDW-7, DMN62D0UDW-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 539,49 KB)
PDFDMN62D0UDW-13 Datasheet Copertura
DMN62D0UDW-13 Datasheet Pagina 2 DMN62D0UDW-13 Datasheet Pagina 3 DMN62D0UDW-13 Datasheet Pagina 4 DMN62D0UDW-13 Datasheet Pagina 5 DMN62D0UDW-13 Datasheet Pagina 6 DMN62D0UDW-13 Datasheet Pagina 7

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DMN62D0UDW-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds32pF @ 30V
Potenza - Max320mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 0.9V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V

Potenza - Max

120mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

UMT6

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Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 30V

Potenza - Max

1.25W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

SI4946BEY-T1-E3

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 30V

Potenza - Max

3.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IRF7313TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

BSC0925NDATMA1

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Produttore

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Tipo FET

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1157pF @ 15V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

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