Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN61D9UW-7
PNEDA Part # DMN61D9UW-7
Descrizione MOSFET N-CH 60V 0.34A
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 52.872
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN61D9UW-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN61D9UW-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMN61D9UW-7, DMN61D9UW-7 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 480,13 KB)
PDFDMN61D9UW-13 Datasheet Copertura
DMN61D9UW-13 Datasheet Pagina 2 DMN61D9UW-13 Datasheet Pagina 3 DMN61D9UW-13 Datasheet Pagina 4 DMN61D9UW-13 Datasheet Pagina 5 DMN61D9UW-13 Datasheet Pagina 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMN61D9UW-7 Datasheet
  • where to find DMN61D9UW-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN61D9UW-7
  • DMN61D9UW-7 PDF Datasheet
  • DMN61D9UW-7 Stock

  • DMN61D9UW-7 Pinout
  • Datasheet DMN61D9UW-7
  • DMN61D9UW-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN61D9UW-7 Price
  • DMN61D9UW-7 Distributor

DMN61D9UW-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C340mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds28.5pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)320mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-323
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRF7524D1TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 15V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

ZXMN6A07ZTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

166pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89-3

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

SCT3080ALGC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

104mOhm @ 10A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.6V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 18V

Vgs (massimo)

+22V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

571pF @ 500V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

134W (Tc)

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IXTP3N50D2

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1070pF @ 25V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

CSD19538Q2T

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

454pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WSON (2x2)

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Venduto di recente

CY29942AI

CY29942AI

Cypress Semiconductor

IC CLK BUFFER 1:18 200MHZ 32TQFP

T9AS1D12-15

T9AS1D12-15

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 15V

B3U-1000P

B3U-1000P

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

S29GL064N90DFI010

S29GL064N90DFI010

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

BR24T128-W

BR24T128-W

Rohm Semiconductor

IC EEPROM 128K I2C 8-DIP-T

DS1307ZN+T&R

DS1307ZN+T&R

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-SOIC

CDSU4148

CDSU4148

Comchip Technology

DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

IHLP2525CZERR10M01

IHLP2525CZERR10M01

Vishay Dale

FIXED IND 100NH 32.5A 1.7 MOHM

3224W-1-203E

3224W-1-203E

Bourns

TRIMMER 20K OHM 0.25W J LEAD TOP

HEF4538BT,653

HEF4538BT,653

Nexperia

IC MONO MULTIVBRTOR DUAL 16SOIC

CDRH127NP-100MC

CDRH127NP-100MC

Sumida

FIXED IND 10UH 5.4A 21.6 MOHM

CNY75B

CNY75B

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP