DMN4800LSSQ-13
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Numero parte | DMN4800LSSQ-13 |
PNEDA Part # | DMN4800LSSQ-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO |
Produttore | Diodes Incorporated |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.184 |
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DMN4800LSSQ-13 Risorse
Brand | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | DMN4800LSSQ-13 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
DMN4800LSSQ-13, DMN4800LSSQ-13 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 326,08 KB)
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DMN4800LSSQ-13 Specifiche
Produttore | Diodes Incorporated |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.6A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 798pF @ 10V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.46W (Ta) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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