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DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN3016LDV-13
PNEDA Part # DMN3016LDV-13
Descrizione MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3016LDV-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3016LDV-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
DMN3016LDV-13, DMN3016LDV-13 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 417,75 KB)
PDFDMN3016LDV-7 Datasheet Copertura
DMN3016LDV-7 Datasheet Pagina 2 DMN3016LDV-7 Datasheet Pagina 3 DMN3016LDV-7 Datasheet Pagina 4 DMN3016LDV-7 Datasheet Pagina 5 DMN3016LDV-7 Datasheet Pagina 6 DMN3016LDV-7 Datasheet Pagina 7

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  • DMN3016LDV-13 Distributor

DMN3016LDV-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1184pF @ 15V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 8.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V

Potenza - Max

700mW, 1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

147A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 20mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

322nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 1000V

Potenza - Max

625W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

FDMD8240LET40

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4230pF @ 20V

Potenza - Max

50W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

295mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 20V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

188mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

88pF @ 10V

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