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DMN3012LDG-13

DMN3012LDG-13

Solo per riferimento

Numero parte DMN3012LDG-13
PNEDA Part # DMN3012LDG-13
Descrizione MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.712
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3012LDG-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3012LDG-13
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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DMN3012LDG-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Potenza - Max2.2W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8 (Type D)

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Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

Tipo FET

4 P-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

SISF00DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 15V

Potenza - Max

69.4W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8SCD

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8SCD

APTM100A13SCG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V (1kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

65A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

562nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15200pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

HUFA76404DK8T

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

62V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 5V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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