Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Solo per riferimento

Numero parte DMN3008SFGQ-7
PNEDA Part # DMN3008SFGQ-7
Descrizione MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMN3008SFGQ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMN3008SFGQ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMN3008SFGQ-7, DMN3008SFGQ-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 515,16 KB)
PDFDMN3008SFGQ-7 Datasheet Copertura
DMN3008SFGQ-7 Datasheet Pagina 2 DMN3008SFGQ-7 Datasheet Pagina 3 DMN3008SFGQ-7 Datasheet Pagina 4 DMN3008SFGQ-7 Datasheet Pagina 5 DMN3008SFGQ-7 Datasheet Pagina 6 DMN3008SFGQ-7 Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • DMN3008SFGQ-7 Datasheet
  • where to find DMN3008SFGQ-7
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated DMN3008SFGQ-7
  • DMN3008SFGQ-7 PDF Datasheet
  • DMN3008SFGQ-7 Stock

  • DMN3008SFGQ-7 Pinout
  • Datasheet DMN3008SFGQ-7
  • DMN3008SFGQ-7 Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • DMN3008SFGQ-7 Price
  • DMN3008SFGQ-7 Distributor

DMN3008SFGQ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17.6A (Ta), 62A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3690pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)900mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia8-PowerVDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

FDC697P_F077

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3524pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6 FLMP

Pacchetto / Custodia

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

IPP06CNE8N G

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

85V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 180µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

138nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9240pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

214W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SI1039X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

870mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 870mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

170mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-6

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

STWA68N60M6

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

63A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 31.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4360pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

390W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 Long Leads

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

STL18N65M5

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ V

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Venduto di recente

FDV301N

FDV301N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

S34ML02G104TFI010

S34ML02G104TFI010

SkyHigh Memory Limited

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

P170SP1-FC15AR10K

P170SP1-FC15AR10K

TT Electronics/BI

POT 10K OHM 1/20W PLASTIC LOG

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

TAJE687K006RNJ

TAJE687K006RNJ

CAP TANT 680UF 10% 6.3V 2917

BC846B

BC846B

ON Semiconductor

TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23

SMBJ26A-E3/52

SMBJ26A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA

CM2009-00QR

CM2009-00QR

ON Semiconductor

VGA PORT COMPANION-65 OHM QSOP16

MAX1686HEUA+T

MAX1686HEUA+T

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP SIM 1OUT 8UMAX

74HC74A

74HC74A

MICROSS/On Semiconductor

IC FF D-TYPE DUAL DIE

C0805C102K2GECAUTO

C0805C102K2GECAUTO

KEMET

CAP CER 0805 1NF 200V C0G 10%

AD8505ARJZ-R7

AD8505ARJZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5